Characterization of GaAs conformal layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates by microphotoluminescence cathodoluminescence and microRaman

  1. Martínez, O.
  2. Avella, M.
  3. De La Puente, E.
  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Gil-Lafon, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Ano de publicación: 2000

Volume: 210

Número: 1

Páxinas: 198-202

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00678-8 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable