Temperature dependence of the Raman shift in GaAs conformal layers grown by hydride vapor phase epitaxy

  1. Ardila, A.M.
  2. Martínez, O.
  3. Avella, M.
  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Napierala, J.
  7. Gil-Lafon, E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2002

Volum: 91

Número: 8

Pàgines: 5045-5050

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1462849 GOOGLE SCHOLAR