Temperature dependence of the Raman shift in GaAs conformal layers grown by hydride vapor phase epitaxy

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2002

Ausgabe: 91

Nummer: 8

Seiten: 5045-5050

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1462849 GOOGLE SCHOLAR