Physical modeling and implementation scheme of native defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures for atomistic process simulation

  1. Castrillo, P.
  2. Pinacho, R.
  3. Jaraiz, M.
  4. Rubio, J.E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2011

Volum: 109

Número: 10

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1063/1.3581113 GOOGLE SCHOLAR