Physical modeling and implementation scheme of native defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures for atomistic process simulation

  1. Castrillo, P.
  2. Pinacho, R.
  3. Jaraiz, M.
  4. Rubio, J.E.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 109

Nummer: 10

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1063/1.3581113 GOOGLE SCHOLAR