Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition

  1. Bilousov, O.V.
  2. Carvajal, J.J.
  3. Geaney, H.
  4. Zubialevich, V.Z.
  5. Parbrook, P.J.
  6. Martínez, O.
  7. Jiménez, J.
  8. Díaz, F.
  9. Aguiló, M.
  10. O'Dwyer, C.
Revista:
ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN: 1944-8252,  1944-8244

Any de publicació: 2014

Volum: 6

Número: 20

Pàgines: 17954-17964

Tipus: Article

DOI: 10.1021/AM504786B GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor