Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition

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Zeitschrift:
ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN: 1944-8252,  1944-8244

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 6

Nummer: 20

Seiten: 17954-17964

Art: Artikel

DOI: 10.1021/AM504786B GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor