Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition

  1. Bilousov, O.V.
  2. Carvajal, J.J.
  3. Geaney, H.
  4. Zubialevich, V.Z.
  5. Parbrook, P.J.
  6. Martínez, O.
  7. Jiménez, J.
  8. Díaz, F.
  9. Aguiló, M.
  10. O'Dwyer, C.
Revista:
ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN: 1944-8252,  1944-8244

Ano de publicación: 2014

Volume: 6

Número: 20

Páxinas: 17954-17964

Tipo: Artigo

DOI: 10.1021/AM504786B GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor