Interface state density measurement in MOS structures by analysis of the thermally stimulated conductance

  1. de Dios, A.
  2. Castán, E.
  3. Bailón, L.
  4. Barbolla, J.
  5. Lozano, M.
  6. Lora-Tamayo, E.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Any de publicació: 1990

Volum: 33

Número: 8

Pàgines: 987-992

Tipus: Article

DOI: 10.1016/0038-1101(90)90208-V GOOGLE SCHOLAR