Interface state density measurement in MOS structures by analysis of the thermally stimulated conductance

  1. de Dios, A.
  2. Castán, E.
  3. Bailón, L.
  4. Barbolla, J.
  5. Lozano, M.
  6. Lora-Tamayo, E.
Revista:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 1990

Volume: 33

Número: 8

Páxinas: 987-992

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/0038-1101(90)90208-V GOOGLE SCHOLAR