Interface state density measurement in MOS structures by analysis of the thermally stimulated conductance

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Zeitschrift:
Solid State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 1990

Ausgabe: 33

Nummer: 8

Seiten: 987-992

Art: Artikel

DOI: 10.1016/0038-1101(90)90208-V GOOGLE SCHOLAR