Characterization of GaAs conformal layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates by microphotoluminescence cathodoluminescence and microRaman

  1. Martínez, O.
  2. Avella, M.
  3. De La Puente, E.
  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Gil-Lafon, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2000

Volumen: 210

Número: 1

Páginas: 198-202

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00678-8 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible