Simulation analysis of boron pocket deactivation in NMOS transistors with SPER junctions

  1. Aboy, M.
  2. Marqués, L.A.
  3. López, P.
  4. Santos, I.
  5. Barbolla, J.
  6. Duffy, R.
  7. L. Pelaz
Actes:
2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9780780388109

Any de publicació: 2005

Volum: 2005

Pàgines: 451-454

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/SCED.2005.1504479 GOOGLE SCHOLAR