Simulation analysis of boron pocket deactivation in NMOS transistors with SPER junctions

  1. Aboy, M.
  2. Marqués, L.A.
  3. López, P.
  4. Santos, I.
  5. Barbolla, J.
  6. Duffy, R.
  7. L. Pelaz
Konferenzberichte:
2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9780780388109

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 2005

Seiten: 451-454

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SCED.2005.1504479 GOOGLE SCHOLAR